Slovo „negistor“ má v elektronice přinejmenším dva významy. Častěji označuje termistor, jehož závislost odporu na teplotě je negativní, tedy při růstu teploty odpor klesá. Obecněji označuje i součástky, u nichž při zvýšení napětí dojde ke snížení protékajícího proudu. Tyto součástky jsou výstižněji, ale dost krkolomně označovány jako „prvky s oblastí záporného diferenciální odporu v charakteristice“. Tímto druhým významem se nyní budeme zabývat.
Negistor není součástka, kterou byste si pod tímto názvem mohli koupit v obchodě, ale ne, že by jako jednotlivé součástky neexistovaly. Například lambda diody a tunelové diody mezi negistory patří a i když se (u nás) shánějí dost obtížně, není to nemožné. Příkladem je třeba typ 1N3712 nebo GE130. Také obyčejné bipolární tranzistory v inverzním zapojení vykazují oblast záporného odporu (využití lavinového jevu u tranzistorů), takže je v tomto režimu můžeme mezi negistory řadit.
K čemu se součástky se záporným diferenciální odporem používají? Především ke konstrukci speciálních oscilátorů a generátorů pulzů, mimo jiné s nimi můžeme dosáhnout extrémně strmých hran impulzů nebo velmi krátkých impulzů.
Uvedené součástky mají obvykle velmi úzkou oblast, v nichž se záporný diferenciální odpor vyskytuje. Podstatně lépe využitelné vlastnosti mají různá náhradní zapojení z více součástek, která negistory simulují. Tři z nich si ukážeme.
První z obvodů využívá dva obyčejné NPN bipolární tranzistory. Při malém napětí asi tak do 0,7 V (do bodu A na charakteristice) obvod (téměř) nevede. Při vzrůstu napětí nad 0,7 V se začne otevírat levý z tranzistorů a proud prudce roste tím víc, čím má tranzistor vyšší proudové zesílení. Tato oblast kladného odporu odpovídá charakteristice mezi body A a B.
Kolem 1,4 V se začne otevírat pravý tranzistor a tím současně uzavírá levý tranzistor. I při růstu napětí se proud zmenšuje, to je oblast B až C, oblast záporného diferenciálního odporu. Za bodem C je levý tranzisotr zcela uzavřený a proud prochází jen přes rezistory, další oblast má větší kladný stabilní odpor.
Když zapojíme uvedený obvod sériově do napájení rezonančního LC obvodu, při určitém napětí se rozkmitá. Oblast záporného diferenciálního odporu je zde výrazná a relativně široká, dobře se hodí pro pokusy.
Dalším obvodem je klasické náhradní zapojení lambda diody ze dvou FET tranzistorů s opačnou vodivostí. Výhodou je, že kromě těch dvou tranzistorů neobsahuje vůbec nic a může být snadno postaveno i v relativně výkonné verzi.
Oblast záporného diferenciální odporu je zhruba mezi 2 a 5 V. Tento obvod je schopen při sériovém spojení s paralelním rezonančním obvodem kmitat až do oblasti desítek MHz. Vzhledem k možnému vyššímu výkonu, široké pracovní oblasti a odolnosti je i tento obvod vhodný k experimentům.
Poslední ze zapojení není na rozdíl od předchozích dvojpólem, ale má třetí vývod. Mezi něj a zem se zapojuje paralelní rezonanční obvod. Specifickou vlastností tohoto zapojení je, že oblast záporného diferenciálního odporu funguje v těsném okolí nuly, ale je dost úzká (cca ±0,05V).
Chrakteristiky uvedených obvodů byly převzaty z časopisu Praktická elektronika A radio 7/2005 str. 32. Zájemcům o tuto problematiku doporučuji projít si také tento článek.